3DD13009_A8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13009_A8  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13009_A8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13009_A8 даташит

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd13009 a8.pdf pdf_icon

3DD13009_A8

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

 4.1. Size:155K  crhj
 3dd13009 an.pdf pdf_icon

3DD13009_A8

 5.1. Size:154K  crhj
 3dd13009 x8d.pdf pdf_icon

3DD13009_A8

 5.2. Size:154K  crhj
 3dd13009 c8.pdf pdf_icon

3DD13009_A8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8, 3DD13007_H8D, 3DD13007_X1, 3DD13007_Y8, 3DD13007_Z7, 3DD13007_Z8, 3DD13007_B8D, A1015, 3DD13009_AN, 3DD13009_C8, 3DD13009_X8D, 3DD13012_A8, 3DD13012_AN, 3DD3015_A1, 3DD3015_A3, 3DD3020_A3