Справочник транзисторов. 3DD13009_X8D

 

Биполярный транзистор 3DD13009_X8D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13009_X8D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 3DD13009_X8D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13009_X8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  crhj
3dd13009 x8d.pdfpdf_icon

3DD13009_X8D

NPN R 3DD13009 X8D 3DD13009 X8D VCEO 200 V NPN IC 12 A Ptot TC=25 100 W

 5.1. Size:155K  crhj
3dd13009 an.pdfpdf_icon

3DD13009_X8D

NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W

 5.2. Size:154K  crhj
3dd13009 c8.pdfpdf_icon

3DD13009_X8D

NPN R 3DD13009 C8 3DD13009 C8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

 5.3. Size:153K  crhj
3dd13009 a8.pdfpdf_icon

3DD13009_X8D

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

Другие транзисторы... 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , 3DD13007_Z7 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 3DD13009_AN , 3DD13009_C8 , 13009 , 3DD13012_A8 , 3DD13012_AN , 3DD3015_A1 , 3DD3015_A3 , 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 , 3DD3040_A1 , 3DD3040_A3 .

History: AF189

 

 
Back to Top

 


 
.