Справочник транзисторов. 3DD3015_A3

 

Биполярный транзистор 3DD3015_A3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD3015_A3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для 3DD3015_A3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3015_A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  crhj
3dd3015 a3.pdfpdf_icon

3DD3015_A3

NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W

 5.1. Size:178K  crhj
3dd3015 a1.pdfpdf_icon

3DD3015_A3

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.1. Size:178K  crhj
3dd3015a1.pdfpdf_icon

3DD3015_A3

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.2. Size:146K  crhj
3dd3015a3.pdfpdf_icon

3DD3015_A3

NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W

Другие транзисторы... 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 3DD13009_AN , 3DD13009_C8 , 3DD13009_X8D , 3DD13012_A8 , 3DD13012_AN , 3DD3015_A1 , BC548 , 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 , 3DD3040_A1 , 3DD3040_A3 , 3DD3040_A6 , 3DD3040_A7 , 3DD3145_A6 , 3DD3145_A8 .

 

 
Back to Top

 


 
.