Справочник транзисторов. 3DD3020_A3

 

Биполярный транзистор 3DD3020_A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD3020_A3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 3DD3020_A3

 

 

3DD3020_A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  crhj
3dd3020 a3.pdf

3DD3020_A3
3DD3020_A3

NPN R 3DD3020 A3 3DD3020 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

 5.1. Size:150K  crhj
3dd3020 a6.pdf

3DD3020_A3
3DD3020_A3

NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 7.1. Size:160K  crhj
3dd3020a4.pdf

3DD3020_A3
3DD3020_A3

NPN R 3DD3020 A4 3DD3020 A4 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

 7.2. Size:150K  crhj
3dd3020a6.pdf

3DD3020_A3
3DD3020_A3

NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 7.3. Size:147K  crhj
3dd3020a3.pdf

3DD3020_A3
3DD3020_A3

NPN R 3DD3020 A3 3DD3020 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top