3DD3020_A6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3020_A6  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3020_A6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3020_A6 даташит

 ..1. Size:150K  crhj
 3dd3020 a6.pdf pdf_icon

3DD3020_A6

NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 5.1. Size:147K  crhj
 3dd3020 a3.pdf pdf_icon

3DD3020_A6

 7.1. Size:160K  crhj
 3dd3020a4.pdf pdf_icon

3DD3020_A6

 7.2. Size:150K  crhj
 3dd3020a6.pdf pdf_icon

3DD3020_A6

NPN R 3DD3020 A6 3DD3020 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13009_AN, 3DD13009_C8, 3DD13009_X8D, 3DD13012_A8, 3DD13012_AN, 3DD3015_A1, 3DD3015_A3, 3DD3020_A3, A1941, 3DD3040_A1, 3DD3040_A3, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7, 3DD3145_A6, 3DD3145_A8, 3DD3150_A8, 3DD3320_AN