3DD3040_A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3040_A3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3040_A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3040_A3 даташит

 ..1. Size:144K  crhj
 3dd3040 a3.pdf pdf_icon

3DD3040_A3

 5.1. Size:178K  crhj
 3dd3040 a1.pdf pdf_icon

3DD3040_A3

 5.2. Size:149K  crhj
 3dd3040 a6.pdf pdf_icon

3DD3040_A3

 5.3. Size:146K  crhj
 3dd3040 a7.pdf pdf_icon

3DD3040_A3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13009_X8D, 3DD13012_A8, 3DD13012_AN, 3DD3015_A1, 3DD3015_A3, 3DD3020_A3, 3DD3020_A6, 3DD3040_A1, 2N2222A, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7, 3DD3145_A6, 3DD3145_A8, 3DD3150_A8, 3DD3320_AN, 3DD4013_A1D, 3DD4013_A6D