Справочник транзисторов. 3DD3145_A6

 

Биполярный транзистор 3DD3145_A6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD3145_A6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3DD3145_A6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3145_A6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crhj
3dd3145 a6.pdfpdf_icon

3DD3145_A6

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

 5.1. Size:153K  crhj
3dd3145 a8.pdfpdf_icon

3DD3145_A6

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

 7.1. Size:148K  crhj
3dd3145a6.pdfpdf_icon

3DD3145_A6

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 50

 7.2. Size:152K  crhj
3dd3145a8.pdfpdf_icon

3DD3145_A6

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

Другие транзисторы... 3DD3015_A1 , 3DD3015_A3 , 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 , 3DD3040_A1 , 3DD3040_A3 , 3DD3040_A6 , 3DD3040_A7 , A733 , 3DD3145_A8 , 3DD3150_A8 , 3DD3320_AN , 3DD4013_A1D , 3DD4013_A6D , 3DD4013_B1D , 3DD4513_A1D , 3DD4513_A6D .

 

 
Back to Top

 


 
.