3DD3320_AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3320_AN  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3320_AN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3320_AN даташит

 ..1. Size:159K  crhj
 3dd3320 an.pdf pdf_icon

3DD3320_AN

 7.1. Size:158K  crhj
 3dd3320an.pdf pdf_icon

3DD3320_AN

Другие транзисторы: 3DD3020_A6, 3DD3040_A1, 3DD3040_A3, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7, 3DD3145_A6, 3DD3145_A8, 3DD3150_A8, BC327, 3DD4013_A1D, 3DD4013_A6D, 3DD4013_B1D, 3DD4513_A1D, 3DD4513_A6D, 3DD4515_A1, 3DD4515_A6, 3DD4518_A1D