3DD4513_A6D datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DD4513_A6D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4513_A6D 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DD4513_A6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

..1. Size:149K crhj
3dd4513 a6d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W

5.1. Size:178K crhj
3dd4513 a1d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

7.1. Size:177K crhj
3dd4513a1d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

7.2. Size:148K crhj
3dd4513a6d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W