3DD4518_A1D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4518_A1D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4518_A1D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4518_A1D даташит

 ..1. Size:187K  crhj
 3dd4518 a1d.pdf pdf_icon

3DD4518_A1D

NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.1. Size:152K  crhj
 3dd4518 a6d.pdf pdf_icon

3DD4518_A1D

 5.2. Size:145K  crhj
 3dd4518 a3d.pdf pdf_icon

3DD4518_A1D

NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W

 7.1. Size:187K  crhj
 3dd4518a1d.pdf pdf_icon

3DD4518_A1D

NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3320_AN, 3DD4013_A1D, 3DD4013_A6D, 3DD4013_B1D, 3DD4513_A1D, 3DD4513_A6D, 3DD4515_A1, 3DD4515_A6, B772, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7