3DD4520_A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4520_A3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4520_A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4520_A3 даташит

 ..1. Size:146K  crhj
 3dd4520 a3.pdf pdf_icon

3DD4520_A3

 5.1. Size:147K  crhj
 3dd4520 a6.pdf pdf_icon

3DD4520_A3

NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W

 5.2. Size:159K  crhj
 3dd4520 a4.pdf pdf_icon

3DD4520_A3

NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W

 7.1. Size:158K  crhj
 3dd4520a4.pdf pdf_icon

3DD4520_A3

NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4013_B1D, 3DD4513_A1D, 3DD4513_A6D, 3DD4515_A1, 3DD4515_A6, 3DD4518_A1D, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, TIP35C, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7, 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6