3DD4540_A7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4540_A7  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4540_A7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4540_A7 даташит

 ..1. Size:151K  crhj
 3dd4540 a7.pdf pdf_icon

3DD4540_A7

 5.1. Size:147K  crhj
 3dd4540 a3.pdf pdf_icon

3DD4540_A7

 5.2. Size:150K  crhj
 3dd4540 a9.pdf pdf_icon

3DD4540_A7

 7.1. Size:147K  crhj
 3dd4540a3.pdf pdf_icon

3DD4540_A7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4518_A1D, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3, TIP127, 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H