3DG44 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG44  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG44

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG44 даташит

 ..1. Size:175K  crhj
 3dg44.pdf pdf_icon

3DG44

NPN R 3DG44 3DG44 NPN VCEO 400 V IC 0.3 A Ptot Ta=25 0.625 W

 0.1. Size:197K  lzg
 3dg4401.pdf pdf_icon

3DG44

2N4401(3DG4401) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR I 500mA C Purpose Medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 40 V CEO V 6.0 V EBO I 600 mA C P 625

Другие транзисторы: 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 3DG40005AS-H, A1013, BU406_A8, UMZ7N, BC846BPN, EMZ8, XN4601, BCV27T, 2SB1580, 2SD2212