XN4601 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: XN4601  📄📄 

Маркировка: 5C

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150(80) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5(2.7) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT163

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для XN4601

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

XN4601 даташит

 ..1. Size:1697K  kexin
 xn4601.pdf pdf_icon

XN4601

SMD Type Transistors Composite Transistors XN4601 (KN4601) ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features Two elements incorporated into one package. 6 5 4 Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2) 1 2 3 +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1

 9.1. Size:600K  cn fx-semi
 fxn4609f.pdf pdf_icon

XN4601

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4609F Series Rev.A General Description Features The FXN4609F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 460V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 9A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial appl

 9.2. Size:1233K  cn fx-semi
 fxn4607f.pdf pdf_icon

XN4601

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4607F Series Rev.A General Description Features The FXN4607F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @V =10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indus

Другие транзисторы: 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 3DG40005AS-H, 3DG44, BU406_A8, UMZ7N, BC846BPN, EMZ8, 13005, BCV27T, 2SB1580, 2SD2212, MUN2231, DTA113ZCA, DTA113ZM, DTA115TCA, DTA115TE