3DD13002F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13002F  📄📄 

Маркировка: 13002F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13002F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13002F даташит

 6.1. Size:4819K  jiangsu
3dd13002.pdfpdf_icon

3DD13002F

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13002 TRANSISTOR (NPN) TO-251-3L TO-252-2L FEATURE 1 2 3 power switching applications 1. BASE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 2. COLLECTOR Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector -Base Voltage 600 V 3. EMITTER 1 VCEO Collector-Emi

 6.2. Size:842K  jiangsu
3dd13002b.pdfpdf_icon

3DD13002F

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13002B TRANSISTOR NPN TO-92 FEATURE Power Switching Applications 1.EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit 13002B=Device code 13002B Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal device XXX=Code 1 ORDERING INFORMATION Par

 6.3. Size:456K  lge
3dd13002.pdfpdf_icon

3DD13002F

3DD13002(NPN) TO-251/TO-252-2L Transistor TO-251 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted TO-252-2L Symbol Parameter Value Units VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 1 A PC Collector

 6.4. Size:398K  lge
3dd13002b.pdfpdf_icon

3DD13002F

3DD13002B(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 4.45 5.21 2. COLLECTOR 3. BASE 4.32 2.92 5.33 MIN Features power switching applications 3.43 MIN 2.41 2.67 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.18 Symbol Parameter Value Units 2.03 4.19 2.67 VCBO Collector-Base Voltage 600 V 1.14 1.40 2.03 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67

Другие транзисторы: 2SC3632-Z, 2SC4505, 2SC4976, 3DD13002, 3DD13002A, 3DD13002C, 3DD13002D, 3DD13002E, BD333, 3DD13003, 3DD13003A, 3DD13003C, 3DD13003E, 3DD13003F, CXTA44, KSU13003H, KX2000N