3DD13003E datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DD13003E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003E 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT89

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DD13003E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

0.1. Size:231K jilin sino
3dd13003e1d.pdf pdf_icon

0.2. Size:150K crhj
3dd13003e6d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

0.3. Size:183K wuxi china
3dd13003e1d.pdf pdf_icon

0.4. Size:150K wuxi china
3dd13003e6d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W