3DD13003F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003F даташит

 0.1. Size:149K  crhj
 3dd13003f3d.pdf pdf_icon

3DD13003F

NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

 0.2. Size:151K  crhj
 3dd13003f6d.pdf pdf_icon

3DD13003F

 0.3. Size:182K  crhj
 3dd13003f1d.pdf pdf_icon

3DD13003F

 0.4. Size:150K  wuxi china
 3dd13003f6.pdf pdf_icon

3DD13003F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13002C, 3DD13002D, 3DD13002E, 3DD13002F, 3DD13003, 3DD13003A, 3DD13003C, 3DD13003E, TIP41C, CXTA44, KSU13003H, KX2000N, KX2001P, MJD13001, MJD13002, MMBTA45, NJM13003-1.63