H8050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H8050  📄📄 

Маркировка: 8050B_8050C_8050D_8050D3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H8050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H8050 даташит

 ..1. Size:137K  shantou-huashan
 h8050.pdf pdf_icon

H8050

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 TO-92 Tj Juncttion Temperature 150 PC Collector Dissipatio

 ..2. Size:789K  kexin
 h8050.pdf pdf_icon

H8050

SMD Type Transistors NPN Transistors H8050 Features 1.70 0.1 Collector Power Dissipation PC=1W Collector Current IC=1.5A Comlementary to H8550 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Collector-emitter voltage VCEO 25 V Emitter-base voltage VEBO 5 V C

 0.1. Size:211K  lrc
 lh8050qlt1g.pdf pdf_icon

H8050

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 0.2. Size:211K  lrc
 lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdf pdf_icon

H8050

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC850W, BC856BS, BC857CDW, BC857T, BC858CDW, BC859W, BC860W, CP380, B772, H8550, KMMT617, KMMT618, KMMT619, KMMT717, KST8050, KST8050D-50, KST8050M