Биполярный транзистор H8050 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: H8050
Маркировка: 8050B_8050C_8050D_8050D3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SOT89
H8050 Datasheet (PDF)
h8050.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipatio
h8050.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsH8050 Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=1W Collector Current: IC=1.5A Comlementary to H85500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter voltage VCEO 25 VEmitter-base voltage VEBO 5 VC
lh8050qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
lh8050plt1g lh8050qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
lh8050plt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE High current capacity in compact package.SeriesIC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement: LH80503 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP
h8050s.pdf
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050