Биполярный транзистор 2N6553 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6553
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO202
2N6553 Datasheet (PDF)
..1. Size:91K central
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
9.2. Size:1355K cn silicon billion
y2n655s.pdf
y2n655s.pdf
Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
Другие транзисторы... 2N6545 , 2N6546 , 2N6547 , 2N6548 , 2N6549 , 2N655 , 2N6551 , 2N6552 , 8050 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 , 2N6559 , 2N656 , 2N6560 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050