Биполярный транзистор KMMT717 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMMT717
Маркировка: 717_717H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
KMMT717 Datasheet (PDF)
kmmt717.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsKMMT717SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=-2A1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=-15V+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 Collec
kmmt718.pdf
SMD Type orSMD Type TransistICsPNP TransistorsFMMT718 (KMMT718)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13Features625mW power dissipation.IC CONT 2.5A.1 2IC up to 10A peak pulse current.+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01Excellent hfe characteristics up to 10A (pulsed). +0.11.9-0.1Extremely low saturation voltage e.g. 10mV typ..Exhibits extremely low equivalent on
kmmt720.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsFMMT720 (KMMT720)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Switching transistor Extremely low saturation voltage1 2 Complementary NPN type: FMMT619+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector -
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KRA112
