KST8050X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KST8050X  📄📄 

Маркировка: Y1+

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KST8050X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST8050X даташит

 ..1. Size:594K  kexin
kst8050x.pdfpdf_icon

KST8050X

SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050X SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Power Dissipation PC=0.3W Collector Current IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitte

 7.1. Size:1155K  kexin
kst8050d-50.pdfpdf_icon

KST8050X

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050D-50 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=1.2A Collector Emitter Voltage VCEO=50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collec

 7.2. Size:1008K  kexin
kst8050.pdfpdf_icon

KST8050X

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features Collector Current IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V

 7.3. Size:810K  kexin
kst8050m.pdfpdf_icon

KST8050X

SMD Type SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050M SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current IC=0.8A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Bas

Другие транзисторы: KMMT617, KMMT618, KMMT619, KMMT717, KST8050, KST8050D-50, KST8050M, KST8050S, 2SD2499, KST8550, KST8550D-50, KST8550M, KST8550S, KST8550X, KST9012, KST9012C, KST9013