Биполярный транзистор KST8550D-50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST8550D-50
Маркировка: Y2C_Y2D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KST8550D-50
KST8550D-50 Datasheet (PDF)
kst8550d-50.pdf
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST8550D-50SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13Features Collector Current Capability IC=-1.2A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VC
kst8550d.pdf
SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors KST8550DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13Features1 2Collector Current: IC=-1.5A+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage
kst8550s.pdf
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST8550SSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesCollector current: IC-=0.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage V
kst8550.pdf
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST8550SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesCollector Current: IC=-1.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEB
kst8550x.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsKST8550XSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Power Dissipation: PC=0.3W Collector Current: IC=-1.5A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emit
kst8550m.pdf
SMD TypeSMD Type TransistorsPNP TransistorsKST8550MSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current: IC=-0.8A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
