KST8550X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KST8550X  📄📄 

Маркировка: Y2+

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KST8550X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST8550X даташит

 ..1. Size:543K  kexin
kst8550x.pdfpdf_icon

KST8550X

SMD Type Transistors PNP Transistors KST8550X SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Power Dissipation PC=0.3W Collector Current IC=-1.5A 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emit

 7.1. Size:1283K  kexin
kst8550d-50.pdfpdf_icon

KST8550X

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550D-50 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-1.2A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V C

 7.2. Size:976K  kexin
kst8550s.pdfpdf_icon

KST8550X

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector current IC-=0.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage V

 7.3. Size:1092K  kexin
kst8550.pdfpdf_icon

KST8550X

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current IC=-1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage VEB

Другие транзисторы: KST8050D-50, KST8050M, KST8050S, KST8050X, KST8550, KST8550D-50, KST8550M, KST8550S, TIP42, KST9012, KST9012C, KST9013, KST9013C, KST9014, KST9014-D, KST9015, KST9015-D