ZX5T250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZX5T250

Маркировка: B772

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ZX5T250

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZX5T250 даташит

 ..1. Size:1161K  kexin
 zx5t250.pdf pdf_icon

ZX5T250

SMD Type Transistors PNP Transistors ZX5T250 Features Collector Current Capability IC=-3A 1.70 0.1 Collector Emitter Voltage VCEO=-60V Complement to ZX5T150 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage VCBO -70 V Collector to Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter to B

 9.1. Size:101K  diodes
 zx5t2e6.pdf pdf_icon

ZX5T250

ZX5T2E6 20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6 SUMMARY BVCEO = -20V RSAT = 31m ; IC = -3.5A DESCRIPTION Packaged in the SOT2 3 -6 outline this new 5th generation low saturation 20V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES SOT23-6 3.5 Amps continuous cur

Другие транзисторы: MMBT3904DW, MMBT3906-D, MMBT3906DW, MMBT5087, NSS1C200LT1G, SBT5853PT1G, SBT5853PT2G, ZX5T150, 2SC828, ZXTP2013, SD1441, SD1477, SD1538-8, TP9380, TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB