Биполярный транзистор ZX5T250 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZX5T250
Маркировка: B772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT89
ZX5T250 Datasheet (PDF)
zx5t250.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsZX5T250 Features Collector Current Capability IC=-3A1.70 0.1 Collector Emitter Voltage VCEO=-60V Complement to ZX5T1500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to Base Voltage VCBO -70 VCollector to Emitter Voltage VCEO -60 VEmitter to B
zx5t2e6.pdf
ZX5T2E620V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6SUMMARYBVCEO = -20V : RSAT = 31m ; IC = -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT2 3 -6 outline this new 5thgeneration low saturation 20V PNP transistor offersextremely low on state losses making it ideal for use inDC-DC circuits and various driving and powermanagement functions.FEATURESSOT23-6 3.5 Amps continuous cur
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050