2N3418S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N3418S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO39 TO205AD
Аналоги (замена) для 2N3418S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N3418S даташит
2n3418.pdf
7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3418 APPLICATIONS Power Supply Pulse Amplifier High Frequency Power Switching 3 Amp, 85V, FEATURES NPN Silicon Power Meets MIL-S-19500/393 Transistors Collector-Base Voltage up to 85V JAN, JTX, JTXV, JANS Peak Collector Current 5A High Power Di
2n3418 2n3419 2n3420 2n3421.pdf
NPN Meduim Power Silicon Transistor 2N3418, 2N3419, 2N3420 & 2N3421 2N3418S, 2N3419S, 2N3420S & 2N3421S Features Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/393 TO-5, TO-39 (TO-205AD) Package Maximum Ratings 2N3418, S 2N3419, S Ratings Symbol 2N3420, S 2N3421, S Units Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc Collector - Base
2n3416 2n3417.pdf
2N3416 2N3417 B TO-92 C E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VCBO Collector-Base Voltage 50 V
2n3415.pdf
2N3415 B TO-92 C E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V Collector-Emitter Voltage 25 V CEO V Collector-Base Voltage 25 V CBO V
Другие транзисторы: SD1538-8, TP9380, TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL, 2N2222AUA, BDT88, 2N3419S, 2N3420S, 2N3421S, 2N5151L, 2N5152L, 2N5153L, 2N5154L, 2N6193U3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor








