2N3420S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N3420S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO39 TO205AD
Аналоги (замена) для 2N3420S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N3420S даташит
2n3420smd05.pdf
2N3420SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herm
2n3420smd.pdf
2N3420SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0
2n3420l.pdf
2N3420L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 60V 5.08 (0.200) IC = 5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b
2n3420.pdf
7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3420 APPLICATIONS Power Supply Pulse Amplifier High Frequency Power Switching 3 Amp, 85V, FEATURES NPN Silicon Power Meets MIL-S-19500/393 Transistors Collector-Base Voltage up to 85 JAN, JTX, JTXV, JANS Peak Collector Current 5A High Power Dis
Другие транзисторы: TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N3418S, 2N3419S, BC547, 2N3421S, 2N5151L, 2N5152L, 2N5153L, 2N5154L, 2N6193U3, WT5611, WT5650
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134





