Справочник транзисторов. 2N6559

 

Биполярный транзистор 2N6559 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6559
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6559 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:49K  njs
2n6550.pdfpdf_icon

2N6559

 9.2. Size:91K  central
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdfpdf_icon

2N6559

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:1355K  cn silicon billion
y2n655s.pdfpdf_icon

2N6559

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con

Другие транзисторы... 2N6551 , 2N6552 , 2N6553 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 , 2SC1815 , 2N656 , 2N6560 , 2N6561 , 2N6562 , 2N6563 , 2N6566 , 2N6567 , 2N6569 .

History: GT125D | 2SC3736 | 2SD1207R | D11C5B1 | 2SB711 | BUT11-6

 

 
Back to Top

 


 
.