2N6559 - описание и поиск аналогов

 

2N6559. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6559

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для 2N6559

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6559 даташит

 9.1. Size:49K  njs
 2n6550.pdf pdf_icon

2N6559

 9.2. Size:91K  central
 2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf pdf_icon

2N6559

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:1355K  cn silicon billion
 y2n655s.pdf pdf_icon

2N6559

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd. Y2N 655S 60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1) General Features Proprietary New Trench Technology Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=43m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Con

Другие транзисторы: 2N6551, 2N6552, 2N6553, 2N6554, 2N6555, 2N6556, 2N6557, 2N6558, 8050, 2N656, 2N6560, 2N6561, 2N6562, 2N6563, 2N6566, 2N6567, 2N6569

 

 

 

 

↑ Back to Top
.