Биполярный транзистор 2N6559 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N6559
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO202
2N6559 Datasheet (PDF)
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
y2n655s.pdf

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
Другие транзисторы... 2N6551 , 2N6552 , 2N6553 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 , 2SC1815 , 2N656 , 2N6560 , 2N6561 , 2N6562 , 2N6563 , 2N6566 , 2N6567 , 2N6569 .
History: GT125D | 2SC3736 | 2SD1207R | D11C5B1 | 2SB711 | BUT11-6
History: GT125D | 2SC3736 | 2SD1207R | D11C5B1 | 2SB711 | BUT11-6



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406