2N6560. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6560
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2N6560
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6560 даташит
2n6560.pdf
2N6560 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 450V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in
2n6560.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N6560 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =450V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage 450 V CBO V Collector-Emitter Voltage 45
Другие транзисторы: 2N6553, 2N6554, 2N6555, 2N6556, 2N6557, 2N6558, 2N6559, 2N656, TIP31, 2N6561, 2N6562, 2N6563, 2N6566, 2N6567, 2N6569, 2N656A, 2N656S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet






