3CA1357. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CA1357

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126F

 Аналоги (замена) для 3CA1357

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CA1357 даташит

 ..1. Size:251K  lzg
 2sa1357 3ca1357.pdf pdf_icon

3CA1357

2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , Purpose Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat) Features High I ,low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO

 8.1. Size:471K  blue-rocket-elect
 br3ca1353f.pdf pdf_icon

3CA1357

2SB1353(BR3CA1353F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F PNP Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features High VCEO,SOA, High transition frequency and small Cob. / Applications po

 8.2. Size:249K  lzg
 2sa1359 3ca1359.pdf pdf_icon

3CA1357

 9.1. Size:132K  china
 3ca138 bd138.pdf pdf_icon

3CA1357

3CA138(BD138) PNP PCM TC 70 8 W ICM 2 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.7A V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A IC=0.5A VCEsat 0.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CA1204, 3CA1217, 3CA1225, 3CA1237, 3CA1240, 3CA127, 3CA1274, 3CA127F, BD135, 3CA1359, 3CA1370, 3CA1371, 3CA138, 3CA1412, 3CA1478, 3CA1480, 3CA150A