Биполярный транзистор 3CA1357 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CA1357
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO126F
3CA1357 Datasheet (PDF)
2sa1357 3ca1357.pdf
2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat)Features: High I ,low V . CCE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO
br3ca1353f.pdf
2SB1353(BR3CA1353F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F PNP Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features High VCEO,SOA, High transition frequency and small Cob. / Applications po
2sa1359 3ca1359.pdf
2SA1359(3CA1359) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier and low speed switching applications. : 2SC3422(3DA3422) Features: Good linearity of h ,complementary to 2SC3422(3DA3422). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3ca138 bd138.pdf
3CA138(BD138) PNP PCM TC70 8 W ICM 2 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.7A V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A IC=0.5A VCEsat 0.5 V
2sa1371 3ca1371.pdf
2SA1371(3CA1371) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Color TV chroma output and high breakdown voltage driver. :,, Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Abso
2sa1370 3ca1370.pdf
2SA1370(3CA1370) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Color TV chroma output and high breakdown voltage driver. :,,/Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050