STN0214. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN0214

Маркировка: N0214

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для STN0214

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STN0214 даташит

 ..1. Size:127K  st
 stn0214.pdf pdf_icon

STN0214

STN0214 Very high voltage NPN power transistor Features High gain Very high voltage capability 4 Applications 3 2 1 Haptic High voltage solenoid driving SOT-223 Description The device is an NPN power bipolar transistor manufactured using the latest high-voltage Figure 1. Internal schematic diagram diffused collector technology. Table 1. Device summary Order c

Другие транзисторы: 3CA4A, 3CA4B, SBU13003BD, SBW13009K, SBW13009O, SBW13009S, SBW3320, SBW3320W, C5198, STN2580, STN826, STN9360, STP5508, STR1550, STR2550, STT13005D, STU13005N