STR1550. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STR1550
Маркировка: R1550
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для STR1550
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STR1550 даташит
str1550.pdf
STR1550 High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet - production data Features Excellent hFE linearity up to 50 mA Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits 3 Tape and reel packaging 2 The PNP complementary type is STR2550 1 SOT-23 Applications LED driving Description Figure 1. Internal schematic diagram This device is a
str1550.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors STR1550 DESCRIPTION Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.2V(Max.)@I = 0.02A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 500V(Min) (BR) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Relay drivers,lamp drivers,motor drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
Другие транзисторы: SBW13009S, SBW3320, SBW3320W, STN0214, STN2580, STN826, STN9360, STP5508, A1015, STR2550, STT13005D, STU13005N, STW2040, STX117, STX13004, LB120A, ST13003DN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771

