3DA142T - описание и поиск аналогов

 

3DA142T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DA142T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DA142T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA142T даташит

 ..1. Size:518K  lzg
tip142t 3da142t.pdfpdf_icon

3DA142T

TIP142T(3DA142T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Linear and switching industrial equipment. - TIP147T(3CA147T) Features Monolithic construction with built in base-emitter shunt resistors High DC current gain complement to TIP147T(

 9.1. Size:32K  shaanxi
3da14 3da27 3da28.pdfpdf_icon

3DA142T

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA14, 3DA27, 3DA28 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for a

Другие транзисторы: RN2206, 3DA1360, 3DA1360A, 3DA1383, 3DA1384, 3DA14, 3DA27, 3DA28, TIP120, 3DA3788, 3DA3790, 3DA3807, 3DA3834, 3DA3834F, 3DA3852R, 3DA2522, 3DA2611

 

 

 

 

↑ Back to Top
.