3DA3788 - описание и поиск аналогов

 

3DA3788. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DA3788

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126F TO225F

 Аналоги (замена) для 3DA3788

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA3788 даташит

 ..1. Size:213K  foshan
 2sc3788 3da3788.pdf pdf_icon

3DA3788

2SC3788(3DA3788) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR CRT Purpose High-definition CRT display video output applications. , 2SA1478(3CA1478) Features High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequenc

 9.1. Size:176K  foshan
 2sc3790 3da3790.pdf pdf_icon

3DA3788

2SC3790(3DA3790) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High-definition CRT display video output applications. Features High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu

Другие транзисторы: 3DA1360, 3DA1360A, 3DA1383, 3DA1384, 3DA14, 3DA27, 3DA28, 3DA142T, B647, 3DA3790, 3DA3807, 3DA3834, 3DA3834F, 3DA3852R, 3DA2522, 3DA2611, 3DA2621

 

 

 

 

↑ Back to Top
.