Справочник транзисторов. 3DA3063

 

Биполярный транзистор 3DA3063 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DA3063
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126F TO225F

 Аналоги (замена) для 3DA3063

 

 

3DA3063 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  foshan
2sc3063 3da3063.pdf

3DA3063 3DA3063

2SC3063(3DA3063) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Video output amplifier. :, Features: High V , low C . CEO ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 7.0 V EBO I 100 mA C I 200 mA

 9.1. Size:110K  no
3da30a-g.pdf

3DA3063

3DA30 NPN A B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 300 250 300 V ICEO VCE=20V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.8 V IB=0.3A

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top