Биполярный транзистор 3DA5371 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DA5371
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220F
3DA5371 Datasheet (PDF)
3da5371.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TO-220F 3DA5371 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Breakdown Voltage High Reverse Cut-off Current Small 3. EMITTE Saturation Voltage Low Power dissipation PCM : 1.5W (Ta=25.) 25 W (Tc=25.) MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parame
3da5371.pdf
3DA5371(NPN)TO-220F Bipolar Transistors TO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3FeaturesBreakdown Voltage High Reverse Cut-off Current Small Saturation Voltage Low Power dissipation PCM : 1.5W (Tamb=25) 25 W (Tcase=25) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050