2N6586 - описание и поиск аналогов

 

2N6586. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6586

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для 2N6586

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6586 даташит

 9.1. Size:11K  semelab
 2n6583.pdf pdf_icon

2N6586

2N6583 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 400V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.2. Size:11K  semelab
 2n6581.pdf pdf_icon

2N6586

2N6581 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 450V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.3. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6583.pdf pdf_icon

2N6586

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6583 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

 9.4. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6584.pdf pdf_icon

2N6586

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6584 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N657S, 2N658, 2N6580, 2N6581, 2N6582, 2N6583, 2N6584, 2N6585, BC639, 2N6587, 2N6588, 2N6589, 2N659, 2N6590, 2N6591, 2N6592, 2N6593

 

 

 

 

↑ Back to Top
.