Справочник транзисторов. 2N6306T1

 

Биполярный транзистор 2N6306T1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N6306T1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO254AA

 Аналоги (замена) для 2N6306T1

 

 

2N6306T1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:62K  central
2n6306 2n6307 2n6308.pdf

2N6306T1

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:278K  no
2n6306 2n6308.pdf

2N6306T1
2N6306T1

The documentation and process conversion INCH-POUND measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/498E be completed by 12 August 20005. 12 May 2005 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/498D 30 April 2003 * PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER, TYPES 2N6306, 2N6306T1, 2N6306T3, 2N6308, 2N6308T1, 2N6308T3, JAN, J

 8.3. Size:54K  microsemi
2n6306 2n6308.pdf

2N6306T1
2N6306T1

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/498 Devices Qualified Level JAN 2N6306 2N6308 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6306 2N6308 Units Collector-Emitter Voltage 250 350 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 500 700 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Collector Current 8.0 Adc IC Base Current 4.0 Adc IB Total P

 8.4. Size:128K  inchange semiconductor
2n6306.pdf

2N6306T1
2N6306T1

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6306 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage High power dissipation APPLICATIONS Designed for high voltage inverters, switching regulators,line operated amplifiers, and switching power supplies applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplif

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top