Биполярный транзистор PXT8050-D Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PXT8050-D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PXT8050-D Datasheet (PDF)
pxt8050-c pxt8050-d pxt8050-d1 pxt8050-d2.pdf

PXT8050PXT8050PXT8050PXT8050 TRANSISTOR (NPN)SOT-89FEATURESCompliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y12. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VV Emitter-Base Voltage 5 VEBOI Collector Current -Continuous 1.5 ACP Collector Power dissipat
pxt8050-c-d-d3.pdf

PXT8050-CMCCMicro Commercial ComponentsTMPXT8050-D20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311PXT8050-D3Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking:Y1 Plastic-Encapsulate
pxt8050.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V
pxt8050.pdf

PXT8 050TRANSISTOR(NPN)SOT-89 FEATURES Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power dissipation 0.5 W TJ Junctio
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: T2141F | 2SC1005A | 3DD73 | BST16 | BDW84C | F123 | TI432
History: T2141F | 2SC1005A | 3DD73 | BST16 | BDW84C | F123 | TI432



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926