Биполярный транзистор FHD21F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FHD21F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO220 TO257
FHD21F Datasheet (PDF)
..1. Size:120K china
fhd21f yz21f.pdf
fhd21f yz21f.pdf
FHD21F(YZ21F) NPN PCM Tc=25 20 W ICM 5 A Tstg -55~150 V(BR) CEO ICE5mA 200 V V(BR) EBO IEB5mA 3 V ICEO VCE=20V 1.5 mA IC=2A VCEsat 3.0 V IB=4mA VCE=5V hFE 500 IC=2A 1. E 2. B 3. C TO-220 TO-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050