SLA4060. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SLA4060
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: SIP12
Аналоги (замена) для SLA4060
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SLA4060 даташит
sla4060.pdf
NPN Darlington General purpose External dimensions SLA (12-pin) A SLA4060 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical characteristics (Ta=25 C) Specification Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max VCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120V VCEO 120 V IEBO 10 mA VEB=6V VEBO 6V VCEO 120 V IC=25mA IC 5A hFE 2000 5000 15000 VCE=2V, IC=3A ICP 8 (PW 1ms, Du 50%)A V
sla4061.pdf
NPN Darlington With built-in flywheel diode SLA4061 External dimensions SLA (12-pin) A Electrical characteristics Absolute maximum ratings (Ta=25 C) (Ta=25 C) Specification Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max VCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120V VCEO 120 V IEBO 10 mA VEB=6V VEBO 6V VCEO 120 V IC=25mA IC 5A hFE 2000 5000 15000 VCE=2V, IC=3A ICP 8 (PW 1m
sla4030.pdf
NPN Darlington General purpose SLA4030 External dimensions SLA (12-pin) A Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical characteristics (Ta=25 C) Specification Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max VCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120V VCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6V VEBO 6V VCEO 100 V IC=10mA IC 4A hFE 2000 VCE=4V, IC=2A ICP 6 (PW 1ms, Du 50%)A VCE(sat) 1.
sla4071.pdf
PNP Darlington With built-in flywheel diode SLA4071 External dimensions SLA (12-pin) A Electrical characteristics Absolute maximum ratings (Ta=25 C) (Ta=25 C) Specification Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max VCBO 100 V ICBO 10 AVCB= 100V VCEO 100 V IEBO 10 mA VEB= 6V VEBO 6V VCEO 100 V IC= 10mA IC 5A hFE 2000 5000 15000
Другие транзисторы: ZXTP2012A, ZXTP4003G, ZXTP4003Z, SLA4030, SLA4031, SLA4041, SLA4051, SLA4052, MJE340, SLA4061, SLA4070, SLA4071, SLA4390, SLA6012, SLA6020, SLA6022, SLA6023
History: DXT5551 | 2SB1118 | LBC558AP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679









