Справочник транзисторов. SLA4070

 

Биполярный транзистор SLA4070 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SLA4070
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: SIP12
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SLA4070 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  sanken-ele
sla4070.pdfpdf_icon

SLA4070

PNP DarlingtonGeneral purposeSLA4070 External dimensions SLA (12-pin)AAbsolute maximum ratings Electrical characteristics(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 100 V ICBO 10 AVCB=100VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=10mAIC 5A hFE 1000 5000 15000 VCE=2V, IC

 8.1. Size:25K  sanken-ele
sla4071.pdfpdf_icon

SLA4070

PNP DarlingtonWith built-in flywheel diodeSLA4071 External dimensions SLA (12-pin)AElectrical characteristicsAbsolute maximum ratings(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 100 V ICBO 10 AVCB=100VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=10mAIC 5A hFE 2000 5000 15000

 9.1. Size:23K  sanken-ele
sla4030.pdfpdf_icon

SLA4070

NPN DarlingtonGeneral purposeSLA4030 External dimensions SLA (12-pin)AAbsolute maximum ratings(Ta=25C) Electrical characteristics (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=10mAIC 4A hFE 2000 VCE=4V, IC=2AICP 6 (PW1ms, Du50%)A VCE(sat) 1.

 9.2. Size:25K  sanken-ele
sla4041.pdfpdf_icon

SLA4070

NPN DarlingtonExternal dimensions SLA (12-pin)With built-in flywheel diode ASLA4041Absolute maximum ratings(Ta=25C) Electrical characteristics (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 200 V ICBO 10 AVCB=200VVCEO 200 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 200 V IC=10mAIC 3A hFE 1000 6000 15000 VCE=4V, IC=1.5AICP 6 (PW1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | HSBD179 | CHDTA113ZUGP | MT3S111 | BD530-5

 

 
Back to Top

 


 
.