Биполярный транзистор SMA4030 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SMA4030
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: SIP12
SMA4030 Datasheet (PDF)
sma4030.pdf
NPN DarlingtonSMA4030 General purpose External dimensions SMABAbsolute maximum ratings Electrical characteristics(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=25mAIC 3A hFE 2000 6000 15000 VCE=4V, IC=1.5AICP 5 (PW1ms, Du50%) A VCE(sat
sma4036.pdf
NPN DarlingtonWith built-in flywheel diodeSMA4036 External dimensions SMA (15-pin)BAbsolute maximum ratings Electrical characteristics(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120VVCEO 120 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 120 V IC=10mAIC 2A VCEO(SUS) 120 V IC=1AICP 4 (PW1ms, Du50%)
sma4033.pdf
NPN DarlingtonWith built-in flywheel diodeSMA4033 External dimensions SMABAbsolute maximum ratings Electrical characteristics(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=25mAIC 2A hFE 2000 6000 15000 VCE=4V, IC=1AICP 4 (PW1ms, Du50
sma4032.pdf
NPN DarlingtonWith built-in flywheel diodeSMA4032External dimensions SMABElectrical characteristicsAbsolute maximum ratings(Ta=25C) (Ta=25C)SpecificationSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxVCBO 120 V ICBO 10 AVCB=120VVCEO 100 V IEBO 10 mA VEB=6VVEBO 6V VCEO 100 V IC=25mAIC 3A hFE 2000 6000 15000 VCE=4V, IC=1.5AICP 5 (PW1ms, Du
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050