Биполярный транзистор MBT35200MT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MBT35200MT1
Маркировка: G4
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT457
Аналоги (замена) для MBT35200MT1
MBT35200MT1 Datasheet (PDF)
mbt35200mt1 smbt35200mt1g.pdf
MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM
mbt35200mt1.pdf
MBT35200MT1High Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management in Portable Applicationshttp://onsemi.comFeatures35 VOLTS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable2.0 AMPS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniquePNP TRANSISTORSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a
mbt35200mt1-d.pdf
MBT35200MT1High Current SurfaceMount PNP SiliconSwitching Transistor forLoad Management inhttp://onsemi.comPortable Applications35 VOLTS2.0 AMPSMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)PNP TRANSISTORRating Symbol Max UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -35 VdcCOLLECTORCollector-Base Voltage VCBO -55 Vdc1, 2, 5, 6Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuou
mbt35200mt1g.pdf
MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: S8050
History: S8050
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ