MBT35200MT1 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги MBT35200MT1. Основные параметры


   Наименование производителя: MBT35200MT1
   Маркировка: G4
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT457

 Аналоги (замена) для MBT35200MT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT35200MT1 даташит

 ..1. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1 smbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1

MBT35200MT1, SMBT35200MT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management http //onsemi.com in Portable Applications 35 VOLTS Features 2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available* MAXIM

 ..2. Size:178K  onsemi
 mbt35200mt1.pdf pdf_icon

MBT35200MT1

MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications http //onsemi.com Features 35 VOLTS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 2.0 AMPS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique PNP TRANSISTOR Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a

 0.1. Size:64K  onsemi
 mbt35200mt1-d.pdf pdf_icon

MBT35200MT1

MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in http //onsemi.com Portable Applications 35 VOLTS 2.0 AMPS MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) PNP TRANSISTOR Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -35 Vdc COLLECTOR Collector-Base Voltage VCBO -55 Vdc 1, 2, 5, 6 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuou

 0.2. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1

MBT35200MT1, SMBT35200MT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management http //onsemi.com in Portable Applications 35 VOLTS Features 2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available* MAXIM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... SPT5006-61 , SPT5006M , SPT5006S1 , SPT5008-3 , SPT5008-61 , SPT5008M , SPT5008S1 , SPT5330 , 2SC5198 , SMBT35200MT1G , MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G , SMBT3904DW1T1G , MBT3906DW1T1G , SMBT3906DW1T1G , SMBT3906S , MBT3946DW1T1G .

 

 
Back to Top

 


 
.