2SD1857A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1857A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: ATV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1857A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1857A даташит

 ..1. Size:63K  rohm
2sd2211 2sd1918 2sd1857a.pdfpdf_icon

2SD1857A

2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A Transistors Power Transistor (160V , 1.5A) 2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A Features External dimensions (Units mm) 1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) 2) Low collector output capacitance. 2SD2211 4.0 1.0 2.5 0.5 (Typ. 20pF at VCB = 10V) (1) 3) High transition frequency.(fT = 80MHZ) (2) 4) Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. (3) (1) Base(Gate)

 ..2. Size:48K  rohm
2sb1275 2sb1236a 2sb1569a 2sb1186a 2sd2211 2sd1918 2sd1857a 2sd2400a 2sd1763a.pdfpdf_icon

2SD1857A

2SB1275 / 2SB1236A / 2SB1569A / 2SB1186A Transistors Transistors 2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A / 2SD2400A / 2SD1763A (96-612-A58) (96-744-C58) 277

 7.1. Size:34K  rohm
2sc4132 2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857A

2SC4132 / 2SD1857 Transistors Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 External dimensions (Unit mm) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2) Low collector output capacitance. 2SC4132 4.0 1.0 2.5 0.5 (Typ. 20pF at VCB = 10V) (1) 3) High transition frequency. (fT = 80MHz) (2) 4) Complements the 2SB1236. (3) (1) Base(Gate) (2) Collector(Drain) RO

 7.2. Size:247K  utc
2sd1857.pdfpdf_icon

2SD1857A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1857 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 1 1 FEATURES TO-126 TO-126S * High breakdown voltage.(BV =120V) CEO * Low collector output capacitance.(Typ.20pF at V =10V) CB * High transition frequency.(f =80MHz) T 1 1 TO-92 TO-92NL 1 1 TO-251 SOT-223 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packin

Другие транзисторы: SMBT3946DW1T1G, SML4017, SML4017A, SML5321, SML7A12, SMLA42CSM, SMLA42DCSM, SMLBFY90, 431, 2SD1898-P, 2SD1898-Q, 2SD1898-R, 2SD1899-K, 2SD1899-L, 2SD1899-M, 2SD1899-Z, 2SD1005-U