2SD1899-M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1899-M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1899-M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1899-M даташит

 6.1. Size:991K  jiangsu
 2sd1899-z.pdf pdf_icon

2SD1899-M

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD1899-Z TRANSISTOR (NPN) TO-251-3L FEATURES High hFE Low VCE(sat) 1.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.COLLECTOR Symbol Parameter Value Unit 3.EMITTER VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7

 6.2. Size:56K  transys
 2sd1899-z.pdf pdf_icon

2SD1899-M

Transys Electronics L I M I T E D TO-252 Plastic-Encapsulated Transistors 2SD1899-Z TRANSISTOR (NPN) TO-252 FEATURES Power dissipation 1. BASE PCM 2 W (Tamb=25 ) 2. COLLECTOR Collector current 3. EMITTER ICM 3 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 ELECTRICAL CHARA

 6.3. Size:600K  lge
 2sd1899-z.pdf pdf_icon

2SD1899-M

2SD1899-Z(NPN) TO-251/TO-252-2L Transistor TO-251 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features High hFE hFE=100 to 400 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.25V MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) TO-252-2L Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuou

 6.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd1899-k.pdf pdf_icon

2SD1899-M

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD1899-K DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High Power Dissipation- P = 10W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB1261-K Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio amplifier and switching, especially in hybrid integrated circuits. ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SMLA42DCSM, SMLBFY90, 2SD1857A, 2SD1898-P, 2SD1898-Q, 2SD1898-R, 2SD1899-K, 2SD1899-L, TIP120, 2SD1899-Z, 2SD1005-U, 2SD1005-V, 2SD1005-W, 2SD1164-Z, 2SD1484KFRA, 2SD1949FRA, 2SD1499-P