2SD1781KFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1781KFRA  📄📄 

Маркировка: AFQ_AFR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC59 SMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1781KFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1781KFRA даташит

 ..1. Size:969K  rohm
 2sd1781kfra.pdf pdf_icon

2SD1781KFRA

2SD1781KFRA 2SD1781K Transistors AEC-Q101 Qualified Medium Power Transistor (32V, 0.8A) 2SD1781K 2SD1781KFRA External dimensions (Unit mm) Features 1) Very Low VCE(sat). 2.9 0.2 VCE(sat) = 0.1V(Typ.) 1.1+0.2 1.9 0.2 -0.1 IC / IB= 500 A / 50mA 0.8 0.1 0.95 0.95 2) High current capacity in compact package. (1) (2) 0 0.1 3) Complements the 2SB1197K 2SB1197K. (3) +0

 6.1. Size:1661K  rohm
 2sd1781k.pdf pdf_icon

2SD1781KFRA

2SD1781K Datasheet Medium Power Transistor (32V, 800mA) lOutline l Parameter Value SMT3 VCEO 32V IC 800mA SOT-346 SC-59 lFeatures l 1)Very low VCE(sat). lInner circuit l VCE(sat)=0.1V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Higt current capacity in compact package. 3)Complements the 2SB1197K. lApplication l

 6.2. Size:214K  lge
 2sd1781k sot-23-3l.pdf pdf_icon

2SD1781KFRA

2SD1781K SOT-23-3L Transistor(NPN) SOT-23-3L 1. BASE 2. EMITTER 2.92 0.35 3. COLLECTOR 1.17 Features 2.80 1.60 Low voltage High saturation current capability 0.15 1.90 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) Symbol Parameter Value Units VCBO 40 V Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emit

 6.3. Size:118K  lrc
 l2sd1781kqlt1g.pdf pdf_icon

2SD1781KFRA

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Medium Power Transistor L2SD1781KQLT1G Series S-L2SD1781KQLT1G Series (32V, 0.8A) L2SD1781KQLT1G FFeatures 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) t 0.4 V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 50mA) 1 2) High current capacity in compact 2 package. 3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requireme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1005-V, 2SD1005-W, 2SD1164-Z, 2SD1484KFRA, 2SD1949FRA, 2SD1499-P, 2SD1583-Z, 2SD1584-Z, 2N3904, 2SD1781KGP, 2SD1782KFRA, 2SD1664GP, 2SD1664P, 2SD1664Q, 2SD1664R, BU406A8, BU508B