BUL53BSMD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BUL53BSMD 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: TO276AB
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BUL53BSMD
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL53BSMD даташит
bul53bsmd.pdf
BUL53BSMD ADVANCED DISTRIBUTED MECHANICAL DATA BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE RANGE SCREENING OPTIONS FOR MILITARY AND SPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED
bul53b-sm.pdf
BUL53B SM SEME LAB ADVANCED DISTRIBUTED MECHANICAL DATA BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE 11.5 2.0 RANGE 0.25 3.5 3.5 3.0 SCREENING OPTIONS FOR MILITARY AND SPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 1 3 HIGH VOLTAGE (VCBO = 800V) FAST SWITCHING (tf
bul53asmd.pdf
BUL53ASMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 300V IC = 10A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26
Другие транзисторы: BUL68B, BUL70A, BUL72A, BUL72B, BUL52ASMD, BUL52BSMD, BUL53ASMD, BUL53B-SM, TIP31, BUL54A-SM, BUL54ASMD, BUL54A-T257F, BUL54A-TO5, BUL54BSMD, TIP36CP, BUL5555, BUL55ASMD
History: KA4L4M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor



