Биполярный транзистор BUL55ASMD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL55ASMD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO276AB
Аналоги (замена) для BUL55ASMD
BUL55ASMD Datasheet (PDF)
bul55asmd.pdf
BUL55ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 300V IC = 7A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (
bul55bsmd.pdf
BUL55BSMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 250V IC = 8A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (
bul5555.pdf
BUL5555(BR3DD5555R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , Fast speed switching, Wide SOA. / Applications High voltage switch mode,suitable for electro
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
