KA4A4M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KA4A4M  📄📄 

Маркировка: A4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SC75 USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KA4A4M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KA4A4M даташит

 9.1. Size:456K  renesas
 ka4a3 ka4a4 ka4f3 ka4f4 ka4l3 ka4l4.pdf pdf_icon

KA4A4M

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: BUL56BSMD, BUL57AN2A, BUL57AN2B, BUL58ASMD, BUL58BSMD, BUL62A, KA4A3Q, KA4A4L, 2222A, KA4A4P, KA4A4Z, KA4F3M, KA4F3P, KA4F3R, KA4F4M, KA4F4N, KA4F4Z