Биполярный транзистор KC818-40 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KC818-40
Маркировка: 6G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT23
KC818-40 Datasheet (PDF)
kc818a.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818A (KC818A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.High collector current.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High current gain.+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
kc818w.pdf
SMD TypeProduct specificationKC818W(BC818W)FeaturesFor general AF applications.High collector current.High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1 Emitter1 Emitter2 Base2 Base3 Collector3 CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO 25 VEmitter-base voltage
kc818.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818 (KC818)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High collector current.+0.11.9 -0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-b
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
